La “electrónica 2.0”: el chip del futuro ya se empieza a diseñar en los laboratorios

¿Se acabó la batería a mitad de día? ¿Por qué el móvil se calienta si apenas lo usamos? La respuesta está en los mismos bloques con los que se construyen todos los aparatos: los transistores. Desde hace sesenta años la industria los reduce y multiplica, pero esa carrera toca techo. Por eso científicos de todo el mundo buscan una “electrónica 2.0”, un salto tan grande como pasar de las lámparas de vacío a los chips de silicio.

El ingrediente estrella de esa nueva etapa no es un metal raro ni un láser exótico: es una propiedad diminuta de la materia llamada altermagnetismo. Descubierta en 2024, actúa como un imán “invisible”: no atrae ni repele clips, pero por dentro sus electrones viajan perfectamente alineados. Esa doble personalidad permite guardar y mover información sin generar campos magnéticos que molesten al vecino, algo imposible con los imanes tradicionales.

Imagine una memoria que, en vez de usar cargas eléctricas, emplee el “giro” de los electrones. Las memorias actuales (MRAM) necesitan imanes que generan campo; cuanto más cerca están los bits, más se interfieren. El altermagnetismo elimina ese problema; los bits se pueden apilar como ladrillos sin temor a que se borren entre sí, multiplicando por diez la capacidad sin aumentar el tamaño del chip.

El beneficio no es solo espacio. Al mover el giro en vez de la carga, la corriente necesaria es tres veces menor, así que el móvil duraría días sin recargar y el portátil no calentaría la rodillas. Los cálculos preliminares hablan de consumir solo 0,2 attojoules por operación, cien veces menos que los mejores procesadores que se planean para 2030.

La velocidad también da un giro brusco y repentino. Los electrones altermagnéticos pueden cambiar de estado en menos de un picosegundo, es decir, a frecuencias de teraherzios. Traducido al lenguaje del usuario: descargar una película en 8K tardaría segundos, y los videojuegos en realidad virtual fluirían sin el más mínimo tartamudeo.

Otra ventaja, menos visible pero crucial, es la robustez. Al no crear campo magnético externo, los circuitos son inmunes a los imanes de los altavoces, a las llaves TSA del aeropuerto o a la radiación cósmica que estropea satélites y cohetes. Piense en coches autónomos o en marcapasos que no fallan jamás por interferencias.

El salto tecnológico ya no es ciencia-ficción. En 2025 varios laboratorios han “imprimido” capas de altermagnetismo sobre obleas de silicio de 300 mm, la misma base que usan hoy las factorías. Eso significa que los nuevos componentes podrían fabricarse en las plantas actuales sin invertir miles de millones en equipos nuevos.

Claro, hay obstáculos. Los contactos eléctricos entre estos materiales y el cobre convencional aún presentan más resistencia de la deseada, lo que genera calor. Además, algunos compuestos solo funcionan bien a temperatura ambiente; hace falta elevar su punto de trabajo para que aguanten el verano en el interior de un coche aparcado al sol.

Por eso, científicos y empresas han marcado un calendario realista: memorias demo de 1 gigabit en 2026, pequeños osciladores de teraherzios para redes 6G en 2028 y un microprocesador híbrido que combine silicio y altermagnetismo antes de 2032. Si se cumplen los plazos, el primer teléfono “2.0” podría llegar a las tiendas en la segunda mitad de la próxima década.

Mientras tanto, la carrera sigue abierta. Cada avance en estos “imanes invisibles” nos acerca a un futuro de baterías que duran semanas, ordenadores que no hacen ruido ni calor y dispositivos tan seguros que olvidaremos lo que es perder información. La electrónica que cambió al mundo con el chip de silicio prepara su segundo gran salto; esta vez, el protagonista será un giro tan pequeño que solo los electrones lo notan… pero tan grande que transformará nuestra vida diaria.